韓國(guó)貿易，工(gōng)業和能源部（MOTIE）宣布計(jì)劃增加對國(guó)内SiC和GaN業務的投資支持。此外，SK集團最近加強了對化合物半導體(tǐ)的投資。預計(jì)随着公司和政府投資的結合，SiC和GaN市場将加速增長。

碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）半導體(tǐ)市場将看(kàn)到加速增長的趨勢。2月1日(rì)，MOTIE宣布，它将加大(dà)對研發和基礎設施擴展的支持，以從(cóng)2021年(nián)起搶占全球SiC和GaN市場。

同時，國(guó)内公司也開始進行一系列相(xiàng)關投資。1月28日(rì)，SK集團向YEST的子公司Yes Power Technix投資了268億。Yes Power Technix成立于2017年(nián)，研究和開發SiC器件(jiàn)，其100mm和150mm生(shēng)産線的SiC晶圓年(nián)生(shēng)産能力爲14,000片/年(nián)。此外，SK Group的SK Siltron最近收購(gòu)了杜邦的SiC晶圓業務。

由于帶隙大(dà)于傳統Si半導體(tǐ)的3倍，因此SiC和GaN半導體(tǐ)每單位面積可(kě)承受的電壓是傳統半導體(tǐ)的10倍。作(zuò)爲參考，GaN和SiC的帶隙分(fēn)别爲3.4 eV和3.2 eV，遠(yuǎn)高于當前使用的Si的1.1 eV。

SiC / GaN技術(shù)的進步允許使用更小，更節能的芯片和更高的電流速率。展望未來(lái)，SiC的采用有望在DC-DC轉換和車載充電，工(gōng)業應用中的功率因數校(xiào)正以及太陽能逆變器中加速應用。在與SiC有關的行業中，重點企業包括韓國(guó)的RFHIC，Metal Life，Silicon Works和YEST，以及海外的Cree，Veeco，意法半導體(tǐ)和Rohm。

GaN和SiC時代即将到來(lái)

預計(jì)到2029年(nián)，化合物功率半導體(tǐ)市場将增長五倍以上。對于5G設備，電動汽車和工(gōng)業設施（包括太陽能設施）中的SiC和GaN等化合物半導體(tǐ)的使用需求正在急劇(jù)增加。

從(cóng)2021年(nián)開始，化合物功率半導體(tǐ)市場将迅速增長。包括SiC（4H-SIC）和GaN在内的下一代化合物功率半導體(tǐ)市場的增長現在已經開始。市場研究公司Yole預測，到2024年(nián)，SiC功率半導體(tǐ)市場将以29％的複合年(nián)增長率增長，達到20億美元。相(xiàng)關的受益方應該包括美國(guó)的Cree，意法半導體(tǐ)和Veeco，以及韓國(guó)的RFHIC。

晶圓生(shēng)産技術(shù)對于GaN和SiC半導體(tǐ)的生(shēng)産至關重要。化合物半導體(tǐ)已開始用于5G設備，工(gōng)業設施，電動汽車和太陽能等行業。近來(lái)，GaN晶體(tǐ)管已被大(dà)量用于智能電話(huà)和筆記本電腦的充電适配器。此外，現代汽車集團在其最近宣布的E-GMP中采用了SiC半導體(tǐ)。

在化合物半導體(tǐ)的生(shēng)産中，晶圓生(shēng)産技術(shù)很重要。通過使用有機(jī)金屬CVD（MOCVD）設備在襯底上生(shēng)長GaN外延層來(lái)制造GaN半導體(tǐ)。SiC外延片是通過在多層晶圓上沉積幾微米厚的SiC單晶層而制成的。SiC晶圓由Cree，Infineon和Rohm等許多公司生(shēng)産。在韓國(guó)，收購(gòu)了杜邦（Dupont）SiC晶圓部門(mén)的SKSiltron正在對該行業進行投資。SiC晶圓現在供不應求。

Cree計(jì)劃到2024年(nián)将SiC産能提高30倍，并爲其GaN業務投資10億美元。ST Micro的SiC芯片組相(xiàng)關銷售額在2019年(nián)達到2億美元，目标是到2025年(nián)達到10億美元。