由全球電子技術(shù)領域知名媒體(tǐ)集團AspenCore主辦的“國(guó)際集成電路(lù)展覽會暨研討(tǎo)會”（IIC Shenzhen 2023）于2023年(nián)11月2日(rì)在深圳大(dà)中華交易廣場重磅啓幕。英諾賽科(kē)受邀參與IIC高效電源管理(lǐ)及寬禁帶半導體(tǐ)技術(shù)應用論壇，并被評選爲2023年(nián)全球電子成就(jiù)獎-最具潛力第三代半導體(tǐ)技術(shù)企業。
伴随着中國(guó)經濟的持續快(kuài)速增長，電源産業呈現良好的發展态勢，據中國(guó)電源協會預測，到2025年(nián)電源市場規模将增至5400億元，2021-2025年(nián)CAGR 達11%。同時，在綠色低碳戰略不斷推進與深入進程中，提升能源利用效率和能源轉換效率已成爲各行各業的共識。
氮化镓(GaN)作(zuò)爲一種寬禁帶半導體(tǐ)，近年(nián)來(lái)在應用端的價值被不斷發掘，其高速、高頻、高效率的特性不斷推動着系統應用的革新，也推動着行業不斷朝着低碳、節能的發展。
英諾賽科(kē)市場應用高級主任黃(huáng)鋒在高效電源管理(lǐ)及寬禁帶半導體(tǐ)技術(shù)應用論壇上表示，功率半導體(tǐ)是能源電子的核心支撐，而當前模塊電源性能的發展已達到了瓶頸，需要通過損耗更低的功率半導體(tǐ)如(rú)氮化镓與創新應用設計(jì)相(xiàng)結合。
會上，黃(huáng)鋒重點介紹了英諾賽科(kē)針對數據中心48V供電架構開發的 LLC-DCX IBC模塊，功率覆蓋從(cóng)300W-1000W，最高效率超過98%，高性能InnoGaN芯片助力數據中心系統效率全面提升。
全球電子成就(jiù)獎(World Electronics Achievement Awards)旨在評選并表彰對推動全球電子産業創新做出傑出貢獻的企業和管理(lǐ)者，由AspenCore全球資深産業分(fēn)析師(shī)組成的評審委員(yuán)會以及來(lái)自(zì)亞、美、歐洲的網站(zhàn)用戶群共同評選。
英諾賽科(kē)以其卓越的市場表現，再次被評爲2023年(nián)度全球最具潛力第三代半導體(tǐ)技術(shù)企業，全球電子成就(jiù)獎于行業而言是一項崇高的榮譽，各類獎項獲得(de)提名的企業、管理(lǐ)者及産品均爲行業領先者，充分(fēn)體(tǐ)現了其在業界的領先地位與不凡表現。
英諾賽科(kē)作(zuò)爲一家緻力于第三代半導體(tǐ)矽基氮化镓研發與制造的IDM企業，擁有全球最大(dà)的8英寸矽基氮化镓生(shēng)産基地。通過大(dà)規模量産能力、8英寸先進的生(shēng)産工(gōng)藝，英諾賽科(kē)開發出多品類、高性能的氮化镓産品，快(kuài)速實現了氮化镓在市場上的廣泛應用。不止于消費類領域，英諾賽科(kē)氮化镓芯片已經在光(guāng)伏與儲能、自(zì)動駕駛等應用中實現大(dà)批量交付！
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