6月23日(rì)中天彙富合夥人(rén)孫曉燕女(nǚ)士與吳江先生(shēng)，受邀參加英諾賽科(kē)（蘇州）半導體(tǐ)有限公司生(shēng)産基地于奠基開工(gōng)儀式。

  本次奠基開工(gōng)儀式，暨2016年(nián)5月3日(rì)英諾賽科(kē)研發中心工(gōng)程項目在珠海高新區奠基開工(gōng)之後，又一次裡(lǐ)程碑。

  英諾賽科(kē)（蘇州）半導體(tǐ)有限公司新建半導體(tǐ)生(shēng)産廠(chǎng)房(fáng)等項目，新建廠(chǎng)房(fáng)面積149671.3平方米，新建輔房(fáng)面積26412平米，位于蘇州市吳江區。由汾湖高新區（黎裡(lǐ)鎮）結合國(guó)家級高新區創建而打造的新型半導體(tǐ)産業園，将以華功半導體(tǐ)“一院兩中心”、英諾賽科(kē)爲牽頭項目，加快(kuài)招引優質項目，打造集研發、生(shēng)産、科(kē)技服務和孵化于一體(tǐ)的新型半導體(tǐ)産業化基地；由吳江高新區（盛澤鎮）重點打造的紡織循環經濟産業園，将以促進資源節約集約利用、改善生(shēng)态環境爲目标，加快(kuài)推進印染企業集中入園，實現主要污染物排放(fàng)量降低15%。

  英諾賽科(kē)是2015年(nián)12月由海歸團隊發起創辦，從(cóng)事(shì)寬禁帶半導體(tǐ)電力電子器件(jiàn)的研發與生(shēng)産，一期項目位于珠海市國(guó)家級高新區，已完成投資10.9億元，建設8英寸增強型矽基氮化镓外延與芯片大(dà)規模量産生(shēng)産線。公司商業模式将采用IDM全産業鏈模式，打造集研發、設計(jì)、外延生(shēng)長、芯片制造、測試于一體(tǐ)的生(shēng)産平台，主要産品包括100V-650V 8英寸矽基氮化镓外延片、100V-650V氮化镓功率器件(jiàn)、氮化镓集成電路(lù)。

  矽氮化镓技術(shù)能夠提高功率密度和能效，同時縮小器件(jiàn)尺寸，因此，非常适合用于電視機(jī)電源和D類音頻放(fàng)大(dà)器等消費電子産品，服務器和電信設備中使用的SMPS。IHS發布的市場研究報告稱，面向功率半導體(tǐ)的矽基闆GaN技術(shù)市場，将以高達50%以上的年(nián)均複合增長率(CAGR)成長。到2023年(nián)，其市場容量将從(cóng)2014年(nián)的1,500萬美元，增至8億美元。